1.工藝開發與整合:
負責或參與LTPS Array新工藝、新技術的開發、導入與優化,致力于提升產品性能、良率及效率。
負責特定或多個關鍵制程模塊(如薄膜沉積、黃光、刻蝕、離子注入、激光退火)的工藝與整合,確保全線工藝穩定。
2.新品導入與支持:
支持新產品的Array段導入工作,完成從設計)到實際產品輸出的工藝匹配與驗證。
制定新產品的Array段試產計劃,并負責流程跟進與數據總結,確保新產品順利量產移交。
3.良率提升與問題解決:
主導Array段各類不良(如Mura、短路、斷路、顆粒污染、電性參數漂移等)的分析與改善,運用FMEA、DOE等工具進行根本原因分析,實施有效的糾正與預防措施。
持續監控在線工藝參數及CP/TFT電性測試數據,建立數據模型,主動識別變異并推動良率提升。
4.技術文件與標準建立:
建立、編寫和維護Array段各類工藝操作規程、標準文件及質量控制計劃。
負責新設備、新材料的評估與導入,并制定相應的工藝規格和驗收標準。
5.跨部門協作:
與研發團隊緊密合作,將新技術從實驗階段轉化為可量產的生產工藝。
與設備、質量及Cell/Module段工程師協同工作,解決涉及Array根源的綜合性技術問題。
人員要求:
1.學歷與專業:
本科及以上學歷,微電子學、半導體物理、電子科學與技術、材料科學與工程、光電等相關專業。
2.工作經驗:
具備5年以上TFT-LCD/OLED行業Array工藝相關經驗,有LTPS(低溫多晶硅)或Oxide(氧化物半導體)技術經驗者優先。熟悉Array全制程或精通某一特定核心制程模塊者尤佳。
3.專業知識與技能:
核心知識: 深刻理解半導體物理、晶體管原理(MOSFET) 及TFT器件結構與特性。
工藝精通: 精通LTPS Array以下至少兩到三項關鍵制程:
薄膜沉積: PECVD、Sputter。黃光微影: 涂布、曝光、顯影。刻蝕技術: 干法刻蝕、濕法刻蝕。
離子注入 與 激光退火 工藝。
4.分析能力: 能夠解讀TFT的CP測試數據,并能與陣列工藝進行關聯分析。
工具使用: 熟悉SEM、EDX等,具備基本的數據分析能力。
5.能力與素質:
具備強烈的責任心、嚴謹的科學態度和出色的邏輯分析能力。
能夠適應潔凈室工作環境,具備良好的團隊合作精神和溝通能力。
具備良好的英語閱讀能力,能夠閱讀英文技術資料。
求職提示:用人單位發布虛假招聘信息,或以任何名義向求職者收取財物(如體檢費、置裝費、押金、服裝費、培訓費、身份證、畢業證等),均涉嫌違法,請求職者務必提高警惕。
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